Доброго времени суток)

Наверное многие замечали , что комплект памяти берёт одну частоту на платформе A , но точно этот же комплект памяти на точно тех же таймингах в упор не работает на платформе Б... как же так ?

Intel Core X у которых есть такое явление как DRAM TDP сильно сбрасывают производительность если эта самая TDP превышает допустимый порог ) и тут даже прохождение TM5 не показатель , потому что когда идёт тротлинг , начинает тротлить и нагрузка на RAM. И получается что если не упираться в TDP по DRAM частота выставленная руками может не работать ) впрочем проверить вы можете так :
1) если четыре канала и вы добились двукратного превышения по TDP и всё работает
тогда :
2) вынайте две планки и оставляете ещё две тем самым ополовиниваете нагрузку на КП в плане TDP и увеличиваете нагрузку на сами модули памяти и смотрите )

Из личного опыта:
i7-6950X @ 3.0 / 2.8
RAM 32 GB 8x4 Kingston HX424C15FB/8 8 GB работаем на 2200 при 15-15-15-35-CR1 1,2 вольта. Если при этом снизить напряжение до 1,1 TM5 даже просто базовый без анты сыпит ошибки. И сыпит даже если поднять тайминги до 16-16-16-38-CR2
Если теперь добавить 8x4 Samsung [M378A1G43TB1-CTD] 8 GB и поставить общий вольтаж на всю память Samsung + Kingston 1,2 - будет перегруз КП и снижение производительности.
Если теперь имея 64 GB памяти снизить напряжение всех модулей до 1,08 , как вы думаете , что произойдёт ? Ведь Kingston в одиночку дают ошибки уже при 1,1 )))) думаете будут ошибки ? Как бы не так )))) можно крутить TM5 и не иметь никаких ошибок ) как думаете , почему ? Потому что одни Kingston-ы которые HX424C15FB/8 дают нагрузку 32,8W , а пара Samsung + Kingston даёт нагрузку уже 46W , а зарезанный вольтаж на эту связку даёт TDP на КП 38,W то есть даже в этом режиме КП уходит в защиту. И модули памяти не нагружаются на всю мощность в отличии от комбинации когда стоят только Kingston-ы.

Чтоб понять что из этого следует , надо учитывать , что мои 32 гигабайта Kingston-ов на пониженном вольтаже сыпали ошибки при этом ошибки сыпались уже на вольтаже 1,1 вольта при частоте 2200 , ошибки сыпались при таймингах 16-16-16-38 и даже при таймингах 17-17-17-40. TDP КП при этом НЕ превышало максимальный уровень , а значит создавалась максимальная нагрузка на модули памяти... когда же я добавлял к кингстонам самсунги , всё это выходило по DRAM Thermal Design Power за пределы 36.8 W и поэтому если бы не было перегруза КП и он не уходил бы в защиту , тот же TM5 выдавал бы ошибки на напряжении 1,1 вольта при частоте 2200 с таймингами 16-16-16-38-CR2... но поскольку был перегружен КП , то он был не в состоянии создать такую нагрузку на память при которой память реально сбоила бы. Вот поэтому эта самая память благополучно проходила тесты на 1,1 вольтах при таймингах 16-16-16-38-CR2 с частотой 2200 и даже заводилась и проходила TM5 без сбоев если TM5 не входил в странное состояние после 2-го прохода когда выгрузка есть , а загрузки нет. Стоило только вынуть самсунги TDP КП позволяло нагрузить модули памяти и поэтому выявлялись ошибки от нехватки напряжения на модуль. Тоесть... при тестировании разгона памяти очень важно чтоб TDP контроллера не превышался иначе уходя в защиту КП не сможет нагрузить модуль памяти так сильно , чтоб появились ошибки уже внутри самого модуля. Эта же система работает не только на андервольтинг , она точно так же , с такой же благополучностью работает и на разгон памяти. Грубо говоря чтоб быть уверенным что ваша память разогнанна и все тайминги реально работают , вам надо быть уверенным в том что TDP тестируемой связки памяти имеет запас и вписывается в 36.8 или любой другой ограничитель DRAM TDP. Именно из-за этого ограничителя часто бывает такая ситуация что на одной платформе эта память гонится , а на другой уже нет. Она гонится и будет гнаться на той платформе , на которой КП уйдёт в защиту и снизит нагрузку на память прежде чем она на самом деле будет нагружена на 100%.